半导体工艺教案第七章光刻(4)

图7-8 曝光设备的结构示意图

5.烘焙

6.显影

图7-9 显影示意图

7.坚膜

8.显影检查

7.3 正性光刻和负性光刻

7.3.1 正性光刻和负性光刻的概念

光刻包括两种基本的工艺类型：正性光刻和负性光刻。正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。正性光刻与负性光刻的光刻效果如图7 10所示。

图7-10 正性光刻与负性光刻的光刻效果

1.正性光刻

2.负性光刻

7.3.2 光刻胶

光刻胶，亦称光致抗蚀剂，其质量的好坏对光刻有很大的影响，因此在集成电路的制造中必须要选择和配置合适的光刻胶。

1.光刻胶的组成及原理

2.光刻胶的种类

3.光刻胶的使用存储

7.3.3 正性光刻和负性光刻的优缺点

根据在光刻工艺中使用的光刻胶的不同，可以将光刻工艺分为正性光刻和负性光刻。

7.4 光刻设备简介

7.4.1 接触式光刻机

接触式光刻机是从SSI（小规模集成电路）时代（20世纪70年代）的主要光刻手段。它被用于线宽尺寸约为5μm及以上的生产中。现在接触式光刻机已经基本不再被广泛使用。接触式光刻的示意图如图7 11所示。