简要介绍资料的主要内容,以获得更多的关注
1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( C ) A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺 2.半导体中的少数载流子产生的原因是( D ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
3.在本征半导体中掺入( A)就成为P型半导体。 A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素
4当PN结外加正向电压时,扩散电流(A)漂移电流,耗尽层变窄。 A.大于 B.小于 C.等于
5当PN结外加反向电压时,扩散电流(B)漂移电流,耗尽层变宽。 A.大于 B.小于 C.等于
6. N型半导体可以在纯净半导体中掺入( C )价元素实现。 A. 3价 B. 4价 C. 5价 D. 6价
7 随着环境温度的升高,半导体二极管的反向电流将( D ) A 减少 B. 略有增加 C. 保持不变 D. 与温度成比例增加
C. 工作在截止区的NPN硅管 D. 工作在饱和区的PNP锗管 17. 以下几项中,错误使用三极管的是( D )。 ..
A. 温度变化量大的工作场合使用硅管 B. 导通结电压要求低的场合使用锗管 C. 硅管锗管不直接互换 D. 尽量选用反向电流大的管子
18. 某三极管接在电路上,它的三个管脚的电位分别为U1=-12V,U2=-5.2V,U3=-5V,则对应该管的管脚排列依次是 ( A )。
A. E、B、C B. B、C、E C. B、E、C D. C、B、E
19. 从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 工艺上还要采取如下措施:( B )
A. 发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B. 发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C. 发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D. 发射区掺杂浓度低,集电结面积大
20. 用万用表的R×100档测量晶体管各电极间的正、反向电阻,若都呈现出很高的阻值,则这只晶体管( D ) A. 两个PN结都击穿 B. 只是集电结击穿 C. 只是发射结烧断 D. 两个PN结都烧断
21.两个三极管构成的复合管如下图,则复合管的放大倍数是 ( A )。 A.β≈β1β2 B. β=β1+β2 C. β=β1-β2 D. β≈β1/β2 8 对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是 ( B )。
22.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在( B ) A. 最大整流电流大,最高工作频率高
A.放大状态 B. 最大整流电流小,最高工作频率高
B.饱和状态 C. 最大整流电流大,最高工作频率低
C.截止状态 D. 最大整流电流小,最高工作频率低
D.状态不能确定 9. 三极管的主要参数UCEO其定义是 ( A )。
25. 既能放大电压,也能放大电流的是(A)组态放大A. 集电极—发射极反向击穿电压 B. 集电极—发射极正向压降
电路;可以放大电压,但不能放大电流的是(C)组态C. 基极—发射极正向压降 D. 集电极—发射极反向饱和电流
放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是(B)组态放大电路。
A. 共射 B. 共集 C. 共基 D.不定 11.理想二极管构成的电路如题2图所示,则( C )
26.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是(B )A.V截止U0=-10V
组态;输入电阻最大的是( B)组态,最小的是(C )组态;输出电阻最大B.V截止U0=-3V
的是(C )组态,最小的是(B )组态。C.V导通U0=-10V
A. 共射 B. 共集 C. 共基 D.不定 D.V导通U0=-6V
28.放大电路在小信号运用时的动态特性如Au、ri、r0等应采用的方法是( C )
12. 如图所示电路中,当电源V1=5V时,测得I=1mA 。若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是(C);设电路中V1=5V保持不变,当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=0.7V,当温度上A.图解法 B.瞬时极性法
C.微变等效电路法 D.估算法
升到40℃时,则VD大小为(F)。
29 图示电路中,输入阻抗Ri为( B )
A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.VD=0.7V E.VD >0.7V F.VD<0.7V
A. Rb1∥Rb2∥[rbe+(1+β)Re]
B. Rb1∥Rb2∥rbe C. Rb1∥Rb2 D. rbe+Rb1∥Rb2
31. 在图示放大电路中,集电极电阻Rc的作用是(C)。 A.放大电流 B.调节IBQ C.防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压
D.调节ICQ
14电路如图所示,输出电压UO应为( A )。 A) 0.7V B)3.7V C)10V D)0.3V 15. 在图所示的二极管中,当温度上升时,电流I将( A )。 A. 增大B. 减小 C. 不变D. 不确定 16. 某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V,+1.4V,+1.6V,则该晶体管是( B )。 35电路如图2—2l所示.输入、输出波形如图2—22所示。可判断该放大电路产生的失
A. 工作在放大区的NPN硅管
简要介绍资料的主要内容,以获得更多的关注
A) 相位失真 B) 饱和失真 C) 截止失真 D) 交越失真
A.1 B.0 C.∞ D.100 65理想运算放大器的两个重要结论是(C)。
A)虚地与反相 B)虚短与虚地 C)虚短与虚断 D)断路和短路
37.在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真是( B ) A.截止失真 B.饱和失真 C.交越失真 D.频 …… 此处隐藏:1030字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……