《模拟电子技术基础》胡宴如 课后答案(19)

为使三极管饱和，应满足

βIB≥ICS≈

12V

=12 mA 1kΩ

故得

β≥

12

≈33 0.365

即β的最小值约为33。

2.11 场效应管的转移特性曲线如图P2.11所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。

解：（a）由于uGS可为正、负、零、故为耗尽型MOS管；由于uGS（off）=－8<0，故为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如图解P2.11（a）所示。由图P2.11(a)可得IDSS=4mA。

（b）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.11（b）所示。由图P2.11（b）可得UGS（off）=－5V，IDSS=5mA。

（c）由于uGS可为正、负、零，且UGS（off）=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解P2.11（c）所示。由图P2.11（c）可得UGS（off）=2V,IDSS=2mA.

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