第五章-FET三极管及其放大管考试试题

第五章FET 三极管及其放大管

一、判断题

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（）。

V

场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）

x

开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）

x

I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在U GS=O时的漏极电流。（）

x

若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）

前往

x

互补输出级应采用共集或共漏接法。（）

V

开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

（）

x

I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在U GS=O时的漏极电流。（）

x

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（

）

V

与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳