第五章-FET三极管及其放大管考试试题(5)

B、耗尽型NMOS

D、增强型NMOS

当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将

( )。

A、增大

B、不变

C、减小

D、增大或者减小

A

U GS= 0V时，能够工作在恒流区的场效应管是( )。

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

D、耗尽型FET都可能

D

四、计算分析题

改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。

(c)输入端加耦合电容

解：(a)源极加电阻R S

(b)漏极加电阻R D

A、耗尽型PMOS

C、增强型PMOS