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毕业设计说明书格式(5)

时间:2025-07-09   来源:未知    
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前 言

随着科学和商业的飞速发展,人们对纳米半导体材料有了更加深入的认识,对其在光学器件和电学器件方面的应用产生了浓厚的兴趣。近年来,由于市场上对短波长半导体激光二极管的大量需求,宽带隙半导体材料越来越受到人们的重视,目的是寻找能产生短波长的发光材料用以制造蓝光甚至紫外光的发光二极管和激光器。最初人们在研究ZnSe和GaN等短波长纳米半导体材料方面取得了一定的进展,GaN制备蓝绿光LED的技术已经相当成熟。但是,由于ZnSe稳定性较差,一直使之无法商品化生产。在长期的对宽带半导体材料的科学研究中,人们发现ZnO半导体纳米材料具有更多的优点。ZnO是一种新型的宽禁带半导体氧化物材料,室温下能带宽度为3.37 ev,略低于GaN的3.39 eV,其激子束缚能(60 meV)远大于GaN(25 meV)的激子束缚能。由于纳米ZnO在紫外波段有较强的激子跃迁发光特性,所以在短波长光子学器件领域有较广的应用前景。此外,ZnO纳米半导体材料还可沉积在除Si以外的多种衬底上,如玻璃、Al20 、GaAs等,并在0.4~2 nm的波长范围内透明,对器件相关电路的单片集成有很大帮助,在光电集成器件中具有很大的潜力。

前言应根据课题调研和查阅的文献资料,提出选题的依据,简要概述国内外的研究现状,以及本文的研究背景及意义,并对所做工作进行简要说明。

最后,对论文的结构进行介绍,如章节数目,每章的主要内容等的描述。 注意语言尽量不要与摘要、第一章绪论部分的重复!

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