chap5_2微机原理与接口技术

微机原理与接口技术

5.3 只读存储器(ROM) 只读存储器(ROM)掩膜ROM(MROM) ( 掩膜 ) 可编程ROM (PROM) 可编程 ) 紫外线可擦除可编程ROM(EPROM) 紫外线可擦除可编程 ( ) 电可擦除可编程ROM(E2PROM) 电可擦除可编程 ( ) 闪速存储器( 闪速存储器(Flash Memory) )

2012-3-17

MATAN

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一、掩膜ROM 掩膜ROM它由生产厂制造， 它由生产厂制造， 厂家通过光刻掩 膜技术将程序写 一旦写好后， 入 ， 一旦写好后 ， 就不能修改。 就不能修改 。 用 A1 户在使用时， 户在使用时 ， 只 进行读出操作， 进行读出操作 ， 其地址译码方式 A0 和 RAM 一 样 。 下面以4*4 ROM 下面以 为例， 为例 ， 说明其基 本工作原理。 本工作原理。Vcc TR1 00 T03 T02 T01 字线W0 字线 T00 TR2 TR3 TR4

地 址 译 码 器

01 T13 10 字线W2 字线 T23 11 字线W3 字线 T33 T32 T31 T30 T22 T21 T20 T12 T11 字线W1 字线 T10

位线3 位线 D3

位线2 位线 D2

位线1 位线 D1

位线0 位线 D0

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掩膜ROM 掩膜ROM这是4*4的 这是 ， 可见，存贮器原 可见， 的ROM, 4个单元每个 位， 个单元每个4位 个单元每个 理是以该位是否 需地址线2条 需地址线 条A0、 有管子来决定该 A1每选中一个字 位是存‘ 位是存‘1’还是 的位) (的位)即输出该 存‘0’,这是由 字各位， 字各位，各单元输 制造时使用二次 出数据 光刻(掩膜) 光刻(掩膜)而 0:0110 : 决定的， 决定的，故称为 1: 掩膜ROM,其特点 ROM, 掩膜：0101 ROM 2: 是：:1010 存贮信息不 3:0000 : 易丢失， 易丢失，只能进 行读取操作。 行读取操作。2012-3-17 Vcc TR1 00 T03 T02 T01 字线W0 字线 T00 TR2 TR3 TR4

A1

A0

地 址 译 码 器

01 T13 10 字线W2 字线 T23 11 字线W3 字线 T33 T32 T31 T30 T22 T21 T20 T12 T11 字线W1 字线 T10

位线3 位线 D3

位线2 位线 D2

位线1 位线 D1

位线0 位线 D0

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二、PROM原理：PROM是靠存储单元中的 熔丝是否熔断决定 信息‘ 信息 ‘ 0 ’ 和 ‘ 1 ’ 的， 当熔丝未断时， 当熔丝未断时， 信息为‘0’,熔 丝 烧断时， 烧断时，信息记录 ‘1’。2012-3-17 MATAN

字字

数数字

PROM一次可编程 一次可编程ROM 一次可编程user@domain

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三、可擦除PROM目前，可擦除的 目前，可擦除的PROM分为光擦除和电擦 分为光擦除和电擦 除二类PROM。 除二类 。 光擦除的PROM(EPROM) ⑴光擦除的 ( ) 电擦除二类PROM ⑵电擦除二类

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三、光擦除的EPROM这是为根据用户需 原理：EPROM 原理 EPROM 要来确定ROM 要来确定ROM 是靠FAMOS FAMOS浮 是靠FAMOS浮 存贮内容， 存贮内容，以及 动栅是否积累电 ROM的程序 对ROM的程序 荷存储信息‘0’ 荷存储信息‘ 进行改写而发展 和‘1’的。

当浮 起来的一种 PROM。 PROM 够 的 电 动 栅 有足。在这种 PROM中 PROM , 记 录 荷 积 累时中，增加 了被绝缘物 的信息为‘ 二氧 的信息为‘0’, 化硅( 化硅( 的 2)包围 没 有 一定SiO电 荷 的浮动栅。 的浮动栅 积累时， 积累时， 。 信息为‘ 信息为‘1’。2012-3-17

Vcc TR 字线 T TfEPROM浮动栅 浮动栅

典型芯片

数据线EPROM可擦除可编程 可擦除可编程ROM 可擦除可编程MATAN user@domain

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四、E2PROM和Flash PROM和E2PROM 电 可 擦 除 可 编 程 只 读 存 储 器 ( Electrically Erasable Programble Read Only Memory)可以在线 ) 擦除和改写。 擦除和改写。它主要用于智能工业仪器仪表中存储各 种变化不频繁的数据和参数。 种变化不频繁的数据和参数 。 EEPROM具有断电情 具有断电情 况下保存数据的功能，又可以方便地在线改写。 况下保存数据的功能，又可以方便地在线改写。 闪速存储器( 闪速存储器(Flash Memory)也称快速擦写存储器或快 ) 闪存储器， 公司首先开发， 闪存储器，是Intel公司首先开发，近年来发展起来的 公司首先开发 典型芯片 一种新型半导体存储器芯片。 一种新型半导体存储器芯片。 它采用一种非挥发性存储技术， 它采用一种非挥发性存储技术，即掉电后数据信息可以 长期保存，在不加电的情况下，信息可以保持10年 长期保存，在不加电的情况下，信息可以保持 年。 又能在线擦除和重写。 是由EEPROM发展起来 又能在线擦除和重写 。 Flash是由 是由 发展起来 因此它属于EEPROM类型。 类型。 的，因此它属于 类型 目前几乎所有主板中的BIOS ROM均采用 均采用Flash) (目前几乎所有主板中的 均采用 )2012-3-17 MATAN user@domain

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EPROM典型芯片 EPROM典型芯片27512 典型芯片27512EPROM主要代表是 系列 主要代表是27系列 主要代表是 对于EPROM掌握： 掌握： 对于 掌握 1. 型号与容量的关系 512为512K位=64K*8=64KB 再如27128为128K位=32KB 2. 引脚信号与容量的关系 容量=2地址线条数*数据线条数 如27512容量=216*8=64KB 3. 控制信号的含义 如CE、OE等 、 等A15 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE/VPP A10 CE D7 D6 D5 D4 D3

2012-3-17

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2PROM和Flash典型芯片 E PROM和Flash典型芯片并行E 代表28系列 …… 此处隐藏：4724字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……