半导体物理学讲义转(15)

时间:2026-01-21   来源:未知    
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由于任何时候都有几种散射机构存在,则总的散射几率为:

P=P +P +P

对Si,Ge半导体,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射,迁移率:

μ

对高纯样品或杂质浓度较低的样品,晶格散射其主要作用,μ随温度增加而降低。

q1

m*AT3/2 BNi/T3/2

f-f0k kf -

(4-19)

它表示撤销外场,由于散射作用,可以使分布函数逐渐恢复平衡值。从非平衡态逐渐恢复到平衡态的过程称为驰豫过程, 为驰豫时间。

4.6强电场下的效应热载流子

本节要点

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