半导体物理学讲义转(21)

时间:2026-01-21   来源:未知    
字号:

p(x) p(0)(1

x)W

(5-21)

扩散流密度

Sp(x) p 0

DpW

(5-22)

5.7载流子的漂移运动爱因斯坦关系式

d n

|E| qDndx

1、光均匀照射在6的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1,

样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。解:光照前

11 0 1.167 1 cm 1 06

光照后Δp=Gτ=(4×1021)(8×10-6)=3.2×1017cm-3

半导体物理学讲义转(21).doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印
× 游客快捷下载通道(下载后可以自由复制和排版)
VIP包月下载
特价:19 元/月 原价:99元
低至 0.1 元/份 每月下载300
全站内容免费自由复制
VIP包月下载
特价:19 元/月 原价:99元
低至 0.1 元/份 每月下载300
全站内容免费自由复制
注:下载文档有可能出现无法下载或内容有问题,请联系客服协助您处理。
× 常见问题(客服时间:周一到周五 9:30-18:00)