CMOS制作基本工艺(10)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

钛是做金属接触的理想材料，它的电阻很低，

可以与硅发生反应形成TiSi(钛化硅)，而钛和二氧化硅不发2

生反应，因此这两种物质不会发生化学的键合或者物于是聚集。因此钛能够轻易地从二氧化硅表面除去，而不需要额外的掩膜。钛的硅化物在所有有源硅的表面保留了下来（如源、漏和栅）。

CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺

2011-8-16工艺流程局部互连

CMOS制作步骤中接触孔形成后下一步便是在晶体管以及其它钛硅化物接触之间布金属连接线。在下面的工艺流程中用的方法称为局部互连（LI）。形成局部互连的步骤与形成浅槽隔离的步骤一样复杂。工艺首先要求淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光、刻印、刻蚀和钨金属淀积，最后以金属层抛光结束（图1和图2）。这种工艺称为大马士革（damascene），名字取自几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。这步工艺的最后结果是在硅片表面得到了一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。图3描绘了这些金属线是如何嵌入氧化物侧壁之间的。

形成局部互连氧化硅介质的步骤