CMOS制作基本工艺(2)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

CMOS制作步骤（一）:双阱工艺

2011-3-3工艺流程双阱工艺

现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤：

N阱的形成

（1）外延生长 *外延层已经进行了轻的P型掺杂

（2）原氧化生长 这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染，b)阻止了在注入过程中对

（3）硅片过度损伤，c)作为氧化物层屏蔽层，有助于控制流放过程中杂质的注入深度

（4）第一层掩膜 ，n阱注入

（5）n阱注放（高能）

（6）退火 退火后的四个结果：

a)裸露的硅片表面生长了一层新的阴挡氧化层，

b)高温使得杂质向硅中扩散

c)注入引入的损伤得到修复，

d)杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。

P阱的形成

（1） 第二层掩膜， p阱注入 *P阱注入的掩膜与N阱注入的掩膜相反

（2） P阱注入（高能）

（3） 退火