CMOS制作基本工艺(12)

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成

2011-8-17工艺流程metal、plug、via

层间介质（ILD）充当了各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料。层间介质上有许多小的通孔，这些层间介质上的细小开口为相邻的金属层之间提供了电学通道。通孔中有导电金属（通常是钨，称为钨塞）填充，钨塞放置在适当的位置，以形成金属层间的电学通路（见图1，图2）。第一层层间介质是下面将要介绍的一系列互连工艺的第一步。

Via-1形成的主要步骤

（1）第一层ILD氧化物 在薄膜区利用CVD设备在硅片表面淀积一层氧化物。这层氧化物（第一层IDL）将充当介质材料，通孔就制作在这一层介质上

（3） 氧化物磨抛 用CMP的方法磨抛第一层ILD氧化物，清洗硅片除去抛光工艺中引入的颗粒

（3）第十层掩膜，第一层ILD刻蚀 硅片先在光刻区刻印然后在刻蚀区刻蚀。直径不到0.25 um的小孔刻蚀在第一层ILD氧化物上。这一步要进行严格的CD、OL以及缺陷检测

Plug-1形成的主要步骤