【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答

合肥工业大学

《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则

一、填空（共32分，每空2分）

1、 PN扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对

于短沟道器件对VT的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受V电压控制，其基极电流IB受V

电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是

寄生参数小，响应速度快等。

5、PN生雪崩击穿的条件为

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因

有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

二、简述（共18分，每小题6分）

1、Early

电压VA； 答案：

2、截止频率

fT；

答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。