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合肥工业大学
四、计算推导（共30分，每小题15分）
1、MOSFET工作在非饱和区时的Sah方程推导，并求解跨导gm和沟道电导
gD，说明提高gm的具体措施；（每步2分，电导计算4分，措施3分） 答案：
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