【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答(4)

合肥工业大学

gm

ID VGS ID VDS

VGS constVDS const

Cox nW

LCox nW

L

VDS，

gD

[(VGS VT) VDS]

提高gm的具体措施有：（1）增大载流子迁移率，选用体内迁移率高的材料；（2）减小栅氧化层厚度，制作高质量的尽可能薄的栅氧化层；（3）增大器件的宽长比；（4）减小器件的串联电阻。 2、在NPN双极型晶体管正向有源区工作时，IC ISexpIS

qVBEkT

qVBEkT

)，

IB

F

[exp(

) 1]，试求该器件正向电流增益 F，并说明提高 F的

几种途径。 其中，IC qAE

ni

2

DB

NBWB

exp(

qVBEkT

)，IB qAE

ni

2

DE

NEWE

[exp(

qVBEkT

) 1]。（计

算推导9分，措施6分） 答案：经推导计算可得， F

ICIB

NEDBWENBDEWB

，提高 F的措施有：（1）增

大发射区/基区浓度比，即发射区采取重掺杂；（2）增大基区少数载流子的扩散系数，即选用NPN型器件；（3）增大发射区/基区厚度比，即减薄基区的厚度。